DDR SDRAM

ISSI 512-Mbit DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 536,870,912-bit memory array is internally organized as four banks of 128Mb to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. The programmable features of burst length, burst sequence, and CAS latency enable further advantages. The device is available in 8-bit, 16-bit, and 32-bit data word sizes. Input data is registered on the I/O pins on both edges of Data Strobe signal(s), while output data is referenced to both edges of Data Strobe and both edges of CLK. ISSI 512-Mbit DDR SDRAM commands are registered on the positive edges of CLK.

Kết quả: 38
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Loại Kích thước bộ nhớ Độ rộng bus dữ liệu Tần số đồng hồ tối đa Đóng gói / Vỏ bọc Tổ chức Thời gian truy cập Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu Điện áp cấp nguồn - Tối đa Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa Sê-ri Đóng gói
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 280Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 89

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 354Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 37

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 190Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM 58Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 200

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 96Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 39Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 10

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 61Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 200

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 28Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 200

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 20Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 200

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 5Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 8 M x 32 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32800D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 190
Nhiều: 190

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 190
Nhiều: 190

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT Thời gian sản xuất của nhà máy: 8 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 190
Nhiều: 190

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Tối đa: 5

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 190
Nhiều: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 190
Nhiều: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 108
Nhiều: 108

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 190
Nhiều: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R83200D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R83200D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R83200D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 190
Nhiều: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 190
Nhiều: 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray