QPD1009

Qorvo
772-QPD1009
QPD1009

Nsx:

Mô tả:
GaN FETs DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Qorvo QPD1009

Có hàng: 209

Tồn kho:
209 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
12 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$67.62 $67.62
$45.85 $458.50

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Qorvo
Danh mục Sản phẩm: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-16
N-Channel
50 V
700 mA
- 2.8 V
- 40 C
+ 85 C
17.5 W
Nhãn hiệu: Qorvo
Cấu hình: Single
Bộ công cụ phát triển: QPD1009-EVB1
Độ khuếch đại: 24 dB
Tần số làm việc tối đa: 4 GHz
Tần số làm việc tối thiểu: 0 Hz
Nhạy với độ ẩm: Yes
Công suất đầu ra: 17 W
Đóng gói: Tray
Loại sản phẩm: GaN FETs
Sê-ri: QPD1009
Số lượng Kiện Gốc: 50
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: GaN
Loại transistor: HEMT
Vgs - Điện áp đánh thủng cực cổng-cực nguồn: 145 V
Đơn vị Khối lượng: 5.756 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Models

PCN

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

Mã Tuân Thủ
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Phân loại nguồn gốc
Quốc gia xuất xứ:
Hoa Kỳ
Quốc gia lắp ráp:
Không Có sẵn
Quốc gia phân phối:
Không Có sẵn
Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

QPD1009 & QPD1010 GaN RF Transistors

Qorvo QPD1009 and QPD1010 GaN RF Transistors are discrete GaN on SiC HEMTs which operate from DC to 4GHz and are constructed with Qorvo's proven QGaN25HV process. This process features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization is potentially cost effective in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G

Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.