CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs offer increased power density, higher efficiency, and improved reliability. The granular portfolio features 1200V SiC MOSFETs in TO-247-3pin, TO-247-4pin, and D2PAK-7pin packages with an RDS(on) ranging from 8.7mΩ to 160mΩ, and ID at +25°C, maximum of 17A to 205A. High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities, and significant reductions in system costs make the Infineon Technologies 1200V Automotive CoolSiC™ MOSFET Modules an ideal choice for onboard charger and DC-DC applications. The TO- and SMD components also come with Kelvin-source pins for optimized switching performance.

Các loại Transistor
Thay đổi chế độ xem danh mục
Kết quả: 35
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Loại sản phẩm
Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Bảng dữ liệu
844Dự kiến 25/02/2027
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Bảng dữ liệu
480Dự kiến 23/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000
Rulo cuốn: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

MOSFETs Si