IRLHS6242TRPBF

Infineon Technologies
942-IRLHS6242TRPBF
IRLHS6242TRPBF

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies IRLHS6242TRPBF

Có hàng: 709

Tồn kho:
709
Có thể Giao hàng Ngay
Đang đặt hàng:
4,000
Dự kiến 16/04/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:
20
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 4000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ †
$0.66 $0.66
$0.372 $3.72
$0.278 $27.80
$0.233 $116.50
$0.21 $210.00
$0.19 $380.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 4000)
$0.169 $676.00
$0.136 $1,088.00
$0.134 $3,216.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
1 Channel
20 V
22 A
11.7 mOhms
- 12 V, 12 V
1.1 V
14 nC
- 55 C
+ 150 C
9.6 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 13 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 36 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 15 ns
Sê-ri: N-Channel
Số lượng Kiện Gốc: 4000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 19 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 5.8 ns
Đơn vị Khối lượng: 10.430 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Models

Product Catalogs

SPICE Models

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Inductive Wireless Charging Solutions

Infineon Technologies Inductive Wireless Charging Solutions use electromagnetic fields to transfer power from a transmitter to a receiver application. This technology charges batteries without a physical connection, all thanks to a wireless charging power supply. The benefits of wireless charging in applications are not having to plug in a device and no plug compatibility issues. It’s also safer since there is no contact with exposed electrical connectors. Wireless charging is more reliable in harsher environments, like drilling and mining. It also allows for seamless on-the-go charging, whether in the car or in public places. Finally, it eliminates tangled charging cables while charging multiple devices in parallel.

Wireless Charging Solutions

Infineon Wireless Charging Solutions meet today's growing demand for wireless charge applications like smartphones, wearables, notebooks, and low-voltage drive devices. Infineon's highly efficient and cost-effective devices enable state-of-the-art solutions for the transmitter unit for inductive and resonant standards. Infineon devices are ready-to-use for the adapter/charger, fostering time-to-market of full wireless charging solutions. Infineon is a member of the Wireless Power Consortium and the AirFuel Alliance.

Power MOSFETs

Infineon pioneered HEXFET power MOSFET technology, developing and introducing the first hexagonal topology MOSFETs in 1979. These developments were granted a broad patent just four years later, and since that time, most MOSFET manufacturers have licensed the designs and processes to enter this marketplace. IR products exhibit the lowest MOSFET on-resistance available on the market for similar components in their class, enabling power conversion subsystem designs that exhibit unequaled efficiency. IR combines state-of-the-art silicon technology with innovative packaging technology. IR POWIRTAB™, Super-220™, and Super-247™ packages allow up to 20A more current per device in the same footprint than standard packages, increasing power density. Compatible with standard surface-mount soldering techniques, IR's FlipFET® packaging technology offers a 100% silicon-to-footprint ratio with the same performance as a conventional package three times as big, making it the ideal solution for portable devices such as phones or notebook PCs. IR's DirectFET® packaging revolutionizes thermal management in the footprint of a standard SO-8 by drawing heat away from the board through the top of the package. As a result, DirectFET MOSFETs can double the current density while cutting thermal management costs in half in high-current circuits that power next-generation microprocessors.

Ultra Compact PQFN HEXFET® Power MOSFETs

Infineon Ultra Compact PQFN HEXFET® Power MOSFETs deliver an ultra-compact, high density and efficient solution for a wide variety of lower power applications including smartphones, tablet PCs, camcorders, digital still cameras, notebook PC, server and network communications equipment. 

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.