FZ2000R33HE4 & FZ1400R33HE4 3300V IGBT Modules

Infineon Technologies FZ2000R33HE4 and FZ1400R33HE4 3300V Single-Switch IGBT Modules offer TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diodes. Insulated-gate bipolar transistors are three-terminal power semiconductor devices used as electronic switches to combine high efficiency and fast switching. FZ2000R33HE4 is a 2000A 190mm single-switch module. FZ1400R33HE4 is a 1400A 130mm single-switch module. The devices offer high short-circuit capability and current density with low switching losses. Applications include high-power converters, medium-voltage converters, and motor and traction drives.

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Sản phẩm Cấu hình Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa Điện áp bão hòa cực góp-cực phát Dòng cực góp liên tục ở 25°C Dòng rò cực cổng-cực phát Pd - Tiêu tán nguồn Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa Đóng gói
Infineon Technologies IGBT Modules IHV IHM T Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 2
Nhiều: 2

IGBT Silicon Modules Single 3.3 kV 2.3 V 1.4 kA 400 nA 2.9 MW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FZ2000R33HE4BOSA1
Infineon Technologies IGBT Modules IHV IHM T Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules Single 3.3 kV 2.2 V 2 kA 400 nA 4.2 MW - 40 C + 150 C Tray