RJ1x10BBG Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Power MOSFETs are N-channel power MOSFETs featuring low on-resistance and a high power package. The RJ1G10BBG and RJ1L10BBG power MOSFETs have a drain-source voltage of 40V and 60V, a continuous drain current of ±280A and ±240A, respectively, and a power dissipation of 192W. The RJ1x10BBG power MOSFETs are RoHS compliant. These power MOSFETs feature lead-free plating, are halogen-free, and 100% Rg and UIS tested. The RJ1x10BBG power MOSFETs operate within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include switching, motor drives, and DC/DC converters.

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Đóng gói
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 40V 280A, TO-263AB, Power MOSFET
Bảng dữ liệu
560Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 800
Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 40 V 280 A 1.43 mOhms 20 V 2.5 V 210 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs Nch 60V 240A, TO-263AB, Power MOSFET
Bảng dữ liệu
640Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 800
Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 240 A 1.85 mOhms 20 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape