Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

DI105N04PQ-AQ

Name: Diotec Semiconductor DI105N04PQ-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI105N04PQ-AQ
Price: 1.67 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

637-DI105N04PQ-AQ

Số nhà sản xuất:

DI105N04PQ-AQ

Nsx:

Diotec Semiconductor

Mô tả:

MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101

Bảng dữ liệu:

DI105N04PQ-AQ Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Diotec Semiconductor DI105N04PQ-AQ

Có hàng: 4,403

Tồn kho:: 4,403 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$1.67	$1.67
	$1.30	$13.00
	$0.783	$78.30
	$0.775	$387.50
	$0.751	$751.00
	$0.664	$1,660.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 5000)
	$0.624	$3,120.00
	$0.538	$5,380.00
25,000	Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Diotec Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	QFN-8
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	40 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	105 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	2.6 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	1.4 V
Qg - Điện tích cực cổng:	23 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	83 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Tiêu chuẩn:	AEC-Q101
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	Diotec Semiconductor
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	9.4 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	116 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	8.3 ns
Sê-ri:	DI100N
Số lượng Kiện Gốc:	5000
Danh mục phụ:	Transistors
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	28 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	12 ns
Mã Bí danh:	N-CHANNEL

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

DI105N04PQ-AQ Bảng dữ liệu (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DI105N04PQ N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI105N04PQ N-Channel Power MOSFET is a 40V drain-source voltage (V_DSS) N-channel power MOSFET in a low profile, space-saving TDSON-8 package. It comes with a 105A continuous drain current (I_D) and 83W power dissipation (P_tot). The device offers a low drain-source on-state resistance of 2.9mΩ typical (V_GS=4.5V I_D=50A). The Diotec Semiconductor DI105N04PQ is ideal for DC/DC converters, power supplies, DC drives, power tools, and synchronous rectifier applications.

Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs

Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs are AEC-Q101 qualified and leverage advanced trench technology, which enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge. This results in improved efficiency and reduced power loss. The Diotec Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs also feature low on-state resistance, which minimizes conduction losses and enhances overall system performance. These characteristics make the MOSFETs ideal for various automotive and industrial applications where reliability and efficiency are paramount.