TP65H050G4YS

Renesas Electronics
227-TP65H050G4YS
TP65H050G4YS

Nsx:

Mô tả:
GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Renesas Electronics TP65H050G4YS

Có hàng: 599

Tồn kho:
599 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
26 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$9.77 $9.77
$6.72 $67.20
$4.47 $447.00
$4.46 $5,352.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Renesas Electronics
Danh mục Sản phẩm: FET GaN
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
35 A
60 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.8 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
132 W
Enhancement
SuperGaN
Nhãn hiệu: Renesas Electronics
Cấu hình: Cascode
Thời gian giảm: 8 ns
Đóng gói: Tube
Loại sản phẩm: GaN FETs
Thời gian tăng: 5 ns
Sê-ri: Gen IV SuperGaN
Số lượng Kiện Gốc: 1200
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: GaN
Loại transistor: GaN HEMT
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 40 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 40 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET is a 50mΩ Gallium Nitride (GaN)  normally-off device available in 4 Lead TO-247 package. This Gen IV SuperGaN FET uses Gen IV platform, which supports advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability. The TP65H050G4YS 650V FET combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET for superior reliability and performance. This SuperGaN FET improves efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Typical applications include datacom broad industrial, PV inverter, and servo motor.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.