SQ4946CEY-T1_GE3

Vishay / Siliconix
78-SQ4946CEY-T1_GE3
SQ4946CEY-T1_GE3

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 20,410

Tồn kho:
20,410 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
3 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$1.53 $1.53
$0.966 $9.66
$0.644 $64.40
$0.505 $252.50
$0.461 $461.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)
$0.412 $1,030.00
$0.387 $1,935.00
$0.361 $9,025.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Vishay
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
7 A
82.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
14.3 nC
- 55 C
+ 175 C
4 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Vishay / Siliconix
Thời gian giảm: 3 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 15 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 4 ns
Sê-ri: SQ
Số lượng Kiện Gốc: 2500
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: TrenchFET Power MOSFET
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 17 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 8 ns
Đơn vị Khối lượng: 750 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

48V DC/DC Converters

Vishay 48V DC/DC Converters are used in the products that need to remain 12V battery load while 48V battery is used in the vehicles. These converters can bring down 48V-12V, so the converter is a significant application for future cars. Different topologies are made possible with these devices like multiphase coupled and non-coupled inductors. Vishay offers a broad portfolio of solutions with standard devices like MOSFETs, diodes, resistors, capacitors, inductors, and customized magnetic solutions.

SQ4946CEY Auto Dual N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SQ4946CEY Auto Dual N-Channel MOSFET offers 60VDS drain-source voltage, ±100nA gate-source leakage, and 865pF maximum input capacitance. This MOSFET features TrenchFET® power and is ideal for automotive applications. Vishay / Siliconix SQ4946CEY Auto Dual N-Channel MOSFET is AEC-Q101 qualified, 100% Rg and UIS tested, RoHS-compliant, and halogen-free.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.