STO33N60M6

STMicroelectronics
511-STO33N60M6
STO33N60M6

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
Hoàn tất Thiết kế của bạn

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
52 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1800   Nhiều: 1800
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1800)
$2.23 $4,014.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-LL-8
N-Channel
1 Channel
600 V
25 A
125 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
33.4 nC
- 55 C
+ 150 C
230 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: MY
Thời gian giảm: 7.5 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 33 ns
Sê-ri: MDmesh M6
Số lượng Kiện Gốc: 1800
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 38.5 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 19.5 ns
Đơn vị Khối lượng: 76 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

PCN

Technical Resources

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STO65N60DM6 Power MOSFET

STMicroelectronics STO65N60DM6 Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series combining very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr), and excellent improvement in RDS(on). The STO65N60DM6 offers excellent switching performance via the extra driving source pin. This performance makes the STM STO65N60DM6 Power MOSFET ideal for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

STO67N60x MDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics STO67N60x MDmesh Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested N-channel power MOSFETs suited for switching applications. These power MOSFETs feature excellent switching performance, low gate input resistance, and lower RDS(on) per area compared to the previous generation. The STO67N60DM6 power MOSFET is a fast-recovery body diode and combines a very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr) with the most effective switching behavior. The STMicroelectronics STO67N60M6 power MOSFET is ideal for LLC converters and boost PFC converters.

MOSFET M6 MDmesh™

MOSFET M6 MDmesh™ của STMicroelectronics kết hợp mức điện tích cổng (Qg) thấp với biên dạng điện dung tối ưu để đạt hiệu suất cao cho các cấu trúc liên kết mới trong các ứng dụng chuyển đổi năng lượng. Sê-ri M6 MDmesh siêu chuyển tiếp có hiệu suất cực cao, làm tăng mật độ công suất và mức điện tích cổng thấp cho hoạt động ở tần số cao. MOSFET Sê-ri M6 có khoảng điện áp phóng điện từ 600 đến 700V. Sản phẩm này có nhiều tùy chọn đóng gói, bao gồm giải pháp đóng gói TO-Leadless (TO-LL), cho phép kiểm soát nhiệt độ hiệu quả. Thiết bị này có khoảng điện áp hoạt động rộng cho các ứng dụng công nghiệp, bao gồm bộ sạc, bộ điều hợp, mô-đun hộp bạc, đèn LED, viễn thông, máy chủ và năng lượng mặt trời.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.