RY7P250BMTBC

ROHM Semiconductor
755-RY7P250BMTBC
RY7P250BMTBC

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs RY7P250BM is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for Hot Swap Controller (HSC).

Tuổi thọ:
Sản phẩm Mới:
Mới từ nhà sản xuất này.
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đang đặt hàng:
2,500
Dự kiến 04/06/2026
2,500
Dự kiến 11/06/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:
16
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$8.22 $8.22
$5.69 $56.90
$4.44 $444.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)
$3.63 $9,075.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
Si
SMD/SMT
DFN8080-8
N-Channel
1 Channel
100 V
300 A
1.86 mOhms
20 V
4 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
340 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: ROHM Semiconductor
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 200 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 27 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 90 ns
Số lượng Kiện Gốc: 2500
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 195 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 72 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RY7P250BM Power MOSFET

ROHM Semiconductor RY7P250BM Power MOSFET is designed with a low on-resistance of 1.86mΩ (maximum) and comes in a DFN8080 high-power package. This power MOSFET features 100V drain-source voltage (VDSS), ±300A drain current (ID), and 340W power dissipation (PD). The RY7P250BM MOSFET offers a wide Safe Operating Area (SOA) that helps the MOSFET withstand higher voltages and currents without damage, enhancing robustness and reliability. The ROHM RY7P250BM MOSFET is suitable for Hot Swap Controller (HSC) applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.