High Speed Asynchronous SRAMs

ISSI High-Speed Asynchronous SRAMs are high-speed, static RAMs organized in various access speeds and densities (64KB to 16MB). These High-Speed Asynchronous SRAMs are fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reliable process, coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low-power consumption devices. ISSI High-Speed Asynchronous SRAMs offer features that include high access speed, low active power, and low standby power with a single power supply. These ISSI devices are excellent in many industrial and automotive applications.

Kết quả: 3
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kích thước bộ nhớ Thời gian truy cập Điện áp cấp nguồn - Tối đa Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu Dòng cấp nguồn - Tối đa Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa Kiểu gắn Đóng gói / Vỏ bọc Đóng gói
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 12 Tuần
Tối thiểu: 210
Nhiều: 210

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Pin TSOP I, RoHS Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 12 Tuần
Tối thiểu: 96
Nhiều: 96

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 12 Tuần
Tối thiểu: 2,000
Nhiều: 2,000
Rulo cuốn: 2,000

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel