PJDx0P03E-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJDx0P03E-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are rugged and reliable MOSFETs with -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 3W power dissipation @TC=25°C. These MOSFETs feature a 50°C/W junction to ambient thermal resistance, -55°C to 175°C operating temperature range, and -2.5V maximum gate-threshold voltage. The PJDx0P03E-AU MOSFETs are AEC-Q101 qualified, 100% UIS tested, and lead-free in compliance with EU RoHS 2.0.

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Tiêu chuẩn
Đóng gói
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Bảng dữ liệu
2,989Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 33 A 30.7 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Bảng dữ liệu
2,537Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 3,000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 77 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape