Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

DI006H03SQ

Name: Diotec Semiconductor DI006H03SQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI006H03SQ
Price: 2.64 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

637-DI006H03SQ

Số nhà sản xuất:

DI006H03SQ

Nsx:

Diotec Semiconductor

Mô tả:

MOSFETs MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P

Bảng dữ liệu:

DI006H03SQ Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Diotec Semiconductor DI006H03SQ

Có hàng: 3,929

Tồn kho:: 3,929 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 10 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$2.64	$2.64
	$2.06	$20.60
	$1.24	$124.00
	$1.22	$610.00
	$1.19	$1,190.00
	$1.05	$2,100.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 4000)
	$0.989	$3,956.00
	$0.853	$6,824.00
24,000	Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Diotec Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	SO-8
Cực tính transistor:	N-Channel, P-Channel
Số lượng kênh:	4 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	30 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	4.2 A, 6 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	25 mOhms, 50 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	1 V, 2 V
Qg - Điện tích cực cổng:	11.7 nC, 11.4 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	1.5 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	Diotec Semiconductor
Cấu hình:	Quad
Thời gian giảm:	8.7 ns, 13.5 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	4 S, 3.5 S
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	15 ns, 4.9 ns
Sê-ri:	DI0XX
Số lượng Kiện Gốc:	4000
Danh mục phụ:	Transistors
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	17.5 ns, 28.2 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	11.2 ns, 7.5 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

DI006H03SQ Bảng dữ liệu (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

Mã Tuân Thủ

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Phân loại nguồn gốc

Quốc gia xuất xứ:: Trung Quốc
Quốc gia lắp ráp:: Không Có sẵn
Quốc gia phân phối:: Không Có sẵn

Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge

Diotec Semiconductor DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge delivers a low on-state resistance, a low gate charge, and fast switching times. With a wide junction temperature range from -55°C to +150°C, DI006H03SQ provides 1.5W maximum power dissipation and a ±20V maximum continuous gate-source voltage. The low-profile SO-8 packaged DI006H03SQ is geared toward DC/DC converters, power supplies, DC drives, synchronous rectifiers, and commercial/industrial-grade applications.