650V XPT™ High Speed Trench IGBTs

IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs are designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications. IXYS 650V XPT High Speed Trench IGBTs are optimized for different switching speed ranges (up to 60kHz). Devices co-packed with IXYS ultra-fast Sonic-FRD™ diodes are also available. The current ratings of devices in this product family range from 30A to 200A at a high temperature of +110°C. These devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. In addition, they display exceptional ruggedness under short-circuit conditions - a 10μs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA).

Các loại Bộ Bán Dẫn Rời Rạc
Thay đổi chế độ xem danh mục
Kết quả: 42
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Loại sản phẩm
Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
IXYS IGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Bảng dữ liệu
6Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
Bảng dữ liệu
265Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
IXYS IGBTs TO263 1200V 20A XPT
Bảng dữ liệu
1,416Dự kiến 28/10/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263HV-3
IXYS IGBTs 650V/80A XPT Copacked TO-247
Bảng dữ liệu
242Dự kiến 10/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 650V/118A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3

IXYS IGBTs 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 48 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-263
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 50
IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2)
IXYS IGBTs TO247 650V 100A GENX3
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 650V/200A XPT C3-Class TO-247
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 27 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 650V/60A XPT C3 Copacked TO-247
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 650V/80A XPT C3-Class TO-247
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-247
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 650V/60A XPT Copacked TO-268HV
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBTs 650V/18A XPT IGBT C3 Copacked TO-220
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 27 Tuần

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3