SIJA22DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIJA22DP-T1-GE3
SIJA22DP-T1-GE3

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 64A

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
Tối thiểu: 6000   Nhiều: 3000
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$0.50 $3,000.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Vishay
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK SO-8
N-Channel
1 Channel
25 V
201 A
740 uOhms
- 16 V, 20 V
2.2 V
83 nC
- 55 C
+ 150 C
48 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Nhãn hiệu: Vishay / Siliconix
Thời gian giảm: 6 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 155 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 6 ns
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: TrenchFET Power MOSFET
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 39 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 15 ns
Đơn vị Khối lượng: 506.600 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low RDS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

SiJA22DP N-Channel 25V MOSFET

Vishay / Siliconix SiJA22DP N-Channel 25V MOSFET comes in a PowerPAK SO-8L package with a single configuration design and 25VDS drain-source voltage. This module features TrenchFET® Gen IV power, tuned for the lowest RDS to Qoss FOM, and is 100% Rg and UIS tested. Vishay SiJA22DP N-Channel 25V MOSFET applications are synchronous rectification, high power density DC/DC, battery and load switches, and hot-swap switches.