TP65H070G4PS

Renesas Electronics
227-TP65H070G4PS
TP65H070G4PS

Nsx:

Mô tả:
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Renesas Electronics TP65H070G4PS

Có hàng: 1,216

Tồn kho:
1,216 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
14 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$7.51 $7.51
$4.05 $40.50
$3.72 $372.00
$3.15 $1,575.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)
$3.15 $3,150.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Renesas Electronics
Danh mục Sản phẩm: FET GaN
RoHS:  
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
29 A
85 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.7 V
9 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
SuperGaN
Nhãn hiệu: Renesas Electronics
Thời gian giảm: 7.2 ns
Đóng gói: Reel
Đóng gói: Cut Tape
Loại sản phẩm: GaN FETs
Thời gian tăng: 6.2 ns
Sê-ri: Gen IV SuperGaN
Số lượng Kiện Gốc: 1000
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: GaN
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 56 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 43.4 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET

Renesas Electronics TP65H070G4PS 650V SuperGaN® Gallium Nitride (GaN) FET is a 650V, 70mΩ normally-off device offering superior quality and performance. The TP65H070G4PS combines high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies in a three-lead TO-220 package. Operating within a -55°C to +150°C temperature range, this component features 26W maximum power dissipation, an 18.4A to 29A maximum continuous drain current range, and 120A pulsed drain current (maximum). The Gen IV SuperGaN platform from Renesas Electronics uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.