High-Speed IGBT4 Power Modules

Microchip Technology High-Speed IGBT4 Power Modules feature low voltage drop, low leakage current, and low switching losses. These modules operate at 1200V collector-emitter voltage (VCES) and provide very low stray inductance, Kelvin emitter/source for an easy drive, and extended temperature range. The benefits of IGBT4 modules are high-efficiency converters, offer outstanding performance at high-frequency operation, low profile, and low junction-to-heatsink thermal resistance. These modules are used in applications like high-reliability power systems, AC switches, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, and motor control.

Kết quả: 7
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Sản phẩm Cấu hình Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa Điện áp bão hòa cực góp-cực phát Dòng cực góp liên tục ở 25°C Dòng rò cực cổng-cực phát Pd - Tiêu tán nguồn Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-SBD-BL3 12Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-SBD-BL1 9Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-SBD-BL2 7Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-SBD-BL1 9Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-SBD-BL3 4Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-SBD-BL2 6Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-SBD-BL2
3Dự kiến 09/03/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C