FF06MR12A04MA2AKSA1

Infineon Technologies
726-FF06MR12A04MA2AK
FF06MR12A04MA2AKSA1

Nsx:

Mô tả:
Discrete Semiconductor Modules HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC

Tuổi thọ:
Sản phẩm Mới:
Mới từ nhà sản xuất này.
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đang đặt hàng:
120
Thời gian sản xuất của nhà máy:
44
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$233.92 $233.92
$199.37 $1,993.70
120 Báo giá

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: Mô-đun bán dẫn rời rạc
RoHS:  
Modules
1 N-Channel
SiC
5.15 V
- 5 V, + 20 V
Press Fit
HybridPACK
- 40 C
+ 175 C
Tube
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 53 ns
Id - Dòng cực máng liên tục: 190 A
Loại sản phẩm: Discrete Semiconductor Modules
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn: 14.5 mOhms
Thời gian tăng: 25 ns
Số lượng Kiện Gốc: 120
Danh mục phụ: Discrete and Power Modules
Thương hiệu: CoolSiC
Cực tính transistor: N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 228 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 32 ns
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn: 1.2 kV
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn: 4.55 V
Mã Bí danh: FF06MR12A04MA2 SP005558866
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

HybridPACK™ DSC S Modules with SiC MOSFET & NTC

Infineon Technologies HybridPACK™ DSC S Modules with SiC MOSFET and NTC are high-performance power modules designed for demanding automotive applications, particularly in hybrid and electric vehicles (xEVs). This compact half-bridge module integrates silicon carbide (SiC) MOSFETs and an NTC thermistor, enabling superior efficiency and thermal performance. With a blocking voltage of 1200V and a nominal current rating of 190A, the modules support high-speed switching with low conduction and switching losses, thanks to the inherent advantages of SiC technology.