EasyDUAL™ 1B IGBT Modules

Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B IGBT Modules with CoolSiC™ MOSFETs deliver very low stray inductance and outstanding efficiency enabling higher frequencies, increased power density, and reduced cooling requirements. The 1200V, 8mΩ half-bridge modules feature an integrated NTC temperature sensor and PressFIT contact technology. Thermal interface material is available on the xHP_B11 variants. These devices feature 0 to 5V and +15V to +18V recommended gate drive voltage ranges, maximum gate-source voltages of +23V or -10V, and 17mΩ or 33mΩ drain-source on resistance options. Integrated mounting clamps provide rugged mounting assurance.

Kết quả: 8
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Loại Công nghệ Sê-ri Đóng gói
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V 402Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Half Bridge Si Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules EASY 48Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 5Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 3Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 8Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 22Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 29Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V 36Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Half Bridge Si M1H Tray