Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NCV57001FDWR2G

Name: onsemi NCV57001FDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV57001FDWR2G
Price: 4.41 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NCV57001FDWR2G

Số nhà sản xuất:

NCV57001FDWR2G

Nsx:

onsemi

Mô tả:

Galvanically Isolated Gate Drivers ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

Bảng dữ liệu:

NCV57001FDWR2G Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NCV57001FDWR2G

Có hàng: 1,187

Tồn kho:: 1,187 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 26 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$4.41	$4.41
	$2.56	$25.60
	$2.54	$63.50
	$2.34	$234.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)
	$2.33	$2,330.00
	$2.25	$4,500.00
	$2.24	$11,200.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	Bộ điều khiển cổng cách ly điện hóa
RoHS:
Sê-ri:	NCV57001FDWR2G
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 125 C
Thời gian tăng:	10 ns
Thời gian giảm:	15 ns
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	onsemi
Cấu hình:	Inverting, Non-Inverting
Số mạch điều khiển:	1 Driver
Số lượng đầu ra:	1 Output
Dòng đầu ra:	4 A
Sản phẩm:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Loại sản phẩm:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Số lượng Kiện Gốc:	1000
Danh mục phụ:	PMIC - Power Management ICs
Điện áp cấp nguồn - Tối đa:	5 V
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu:	3.3 V

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NCV57001FDWR2G Bảng dữ liệu

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NCV57001F IGBT Gate Driver

onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver is a high-current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation designed for high system efficiency and reliability. This gate driver features complementary inputs, open-drain FAULT, and Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, and soft turn-off at DESAT. onsemi NCV57001F IGBT Gate Driver accommodates 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. This gate driver provides >5kV_rms (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200V_iorm (working voltage) capabilities. Typical applications include automotive power supplies, hybrid/electric vehicle (HEV/EV) powertrains, BSG inverters, and positive temperature coefficient (PTC) heaters.