IXFH34N65X2W

IXYS
747-IXFH34N65X2W
IXFH34N65X2W

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247

Tuổi thọ:
Sản phẩm Mới:
Mới từ nhà sản xuất này.
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 584

Tồn kho:
584 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
29 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$8.66 $8.66
$6.30 $63.00
$5.24 $628.80
$4.67 $2,381.70
$4.16 $4,243.20

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
IXYS
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
34 A
100 mOhms
30 V
5 V
64 nC
- 55 C
+ 150 C
540 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Nhãn hiệu: IXYS
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 31 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 18 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 52 ns
Số lượng Kiện Gốc: 30
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 66 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 38 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

MOSFET nguồn IXFH34N65X2W

IXYS IXFH34N65X2W Power MOSFET is a 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET developed using the charge compensation principle and proprietary process technology. This N-channel power MOSFET exhibits low on-state resistance and low gate charges, along with superior dv/dt performance. The IXFH34N65X2W MOSFET features high power density, and the avalanche capability enhances the device's ruggedness. In addition to the fast soft-recovery body diode, the ultra-junction MOSFET helps to reduce switching losses and Electro-Magnetic Interference (EMI). The IXFH34N65X2W MOSFET is used in switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, robotics, and servo control applications.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.