RQ3L060BGTB1

ROHM Semiconductor
755-RQ3L060BGTB1
RQ3L060BGTB1

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs HSMT8 N-CH 60V 15.5A

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về ROHM Semiconductor RQ3L060BGTB1

Có hàng: 2,517

Tồn kho:
2,517 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
18 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$1.51 $1.51
$0.957 $9.57
$0.638 $63.80
$0.50 $250.00
$0.456 $456.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$0.409 $1,227.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSMT-8
N-Channel
1 Channel
60 V
15.5 A
38 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
5.5 nC
- 55 C
+ 150 C
14 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Nhãn hiệu: ROHM Semiconductor
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 4.8 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 4 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 4.3 ns
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 18.5 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 7.4 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Specification Sheets

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

MOSFET nguồn RQ3L060BG

MOSFET nguồn bán dẫn ROHM RQ3L060BG có điện áp nguồn xả 60V (V DSS) và dòng xả liên tục ±15,5A. MOSFET kênh N này có điện trở thấp 38mΩ (R DS (bật)) và công suất tiêu thụ là 14W. MOSFET RQ3L060BG hoạt động trong khoảng nhiệt độ lưu trữ và khớp nối hoạt động từ -55 °C đến 150 °C và xuất hiện ở dạng bộ khung khuôn nhỏ công suất cao, không Halogen (HSMT8). Thiết bị tuân thủ RoHS này tích hợp mạ không chì. Các ứng dụng điển hình bao gồm chuyển mạch, truyền động cơ và bộ chuyển đổi DC/DC.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.