TBC8x7 Bipolar Junction Transistors

Toshiba TBC8x7 Bipolar Junction Transistors (BJTs) are available in both NPN and PNP polarities. These transistors are offered in a compact, surface-mount SOT23-3 package. Toshiba TBC8x7 BJTs feature a wide storage temperature (Tstg) range of -55°C to +150°C and a junction temperature (TJ)of +150°C. These transistors are ideal for use in low-frequency amplifiers and communication devices.

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Cấu hình
Dòng cực góp DC tối đa
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp cực góp-cực gốc VCBO
Điện áp cực phát-cực gốc VEBO
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Pd - Tiêu tán nguồn
Tích độ tăng ích dải thông fT
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Đóng gói

Toshiba Bipolar Transistors - BJT BJT NPN 0.15A 50V
Bảng dữ liệu
24,317Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN Single 150 mA 50 V 60 V 6 V 170 mV 320 mW 100 MHz + 150 C TBC8X7 Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Bipolar Transistors - BJT BJT PNP -0.15A -50V
Bảng dữ liệu
8,863Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP Single 150 mA 50 V 50 V 5 V 220 mV 320 mW 80 MHz + 150 C TBC8X7 Reel, Cut Tape, MouseReel