IXFH60N65X2-4 & IXFH80N65X2-4 X2-Class MOSFETs

IXYS IXFH60N65X2-4 and IXFH80N65X2-4 X2-Class Discrete MOSFETs offer low drain-source resistance (38mΩ or 52mΩ) and low gate charge in an avalanche-rated international standard package. The IXYS IXFH60N65X2-4 and IXFH80N65X2-4 X2-Class Discrete MOSFETs also feature low package inductance and a 650V drain-source breakdown voltage. Applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, and more.

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Thương hiệu
Đóng gói
IXYS MOSFETs 650V/80A TO-247-4L
Bảng dữ liệu
509Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/60A TO-247-4L
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube