StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability. 

Kết quả: 27
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Tiêu chuẩn
Thương hiệu
Đóng gói

Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(120V 300V)
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 22 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies IRFP3006PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET UP TO 60V
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 400
Nhiều: 400

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube