Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance RDS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.  

Các loại Transistor
Thay đổi chế độ xem danh mục
Kết quả: 45
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Loại sản phẩm
Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Bảng dữ liệu
85Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
Bảng dữ liệu
73Có hàng
1,200Dự kiến 16/03/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
Bảng dữ liệu
594Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
Bảng dữ liệu
510Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Bảng dữ liệu
1,597Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 3,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
Bảng dữ liệu
593Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
Bảng dữ liệu
90Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Bảng dữ liệu
600Dự kiến 27/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Bảng dữ liệu
1,200Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Bảng dữ liệu
400Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 600

SiC MOSFETS


STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
Bảng dữ liệu
996Dự kiến 22/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Bảng dữ liệu
1,113Dự kiến 10/03/2026
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
Bảng dữ liệu
844Dự kiến 26/10/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
Bảng dữ liệu
100Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000
Rulo cuốn: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 1,000

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 17 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 17 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 32 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000
Rulo cuốn: 1,000

SiC MOSFETS