SCT4036KW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT4036KW7TL
SCT4036KW7TL

Nsx:

Mô tả:
SiC MOSFETs TO263 1.2KV 40A N-CH SIC

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 690

Tồn kho:
690 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
27 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Số lượng lớn hơn 690 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$16.07 $16.07
$12.90 $129.00
$11.30 $1,130.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)
$10.97 $10,970.00
2,000 Báo giá
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm: MOSFET SiC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
40 A
47 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
91 nC
+ 175 C
150 W
Enhancement
Nhãn hiệu: ROHM Semiconductor
Tuân thủ: Done
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 9.6 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 11 S
Đóng gói: Reel
Đóng gói: Cut Tape
Đóng gói: MouseReel
Sản phẩm: MOSFET's
Loại sản phẩm: SiC MOSFETS
Thời gian tăng: 15 ns
Số lượng Kiện Gốc: 1000
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: SiC
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 29 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 8.1 ns
Mã Bí danh: SCT4036KW7
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

SCT4036KW7 N-Ch SiC power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4036KW7 N-Ch SiC power MOSFET is a 1200V, 36mΩ MOSFET in a TO-263-7L package. The SCT4036KW7 is simple to drive and easy to parallel with fast reverse recovery. The SCT4036KW7 is ideal for solar inverters, induction heating, and motor drives.