NCV57001DWR2G

onsemi
863-NCV57001DWR2G
NCV57001DWR2G

Nsx:

Mô tả:
Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT gate driver

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về onsemi NCV57001DWR2G

Có hàng: 8,270

Tồn kho:
8,270 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
21 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ †
$6.01 $6.01
$4.17 $41.70
$3.82 $95.50
$3.03 $303.00
$2.91 $727.50
$2.75 $1,375.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)
$2.48 $2,480.00
5,000 Báo giá
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: Bộ điều khiển cổng cách ly điện hóa
RoHS:  
NCV57001
SMD/SMT
SOIC-16
- 40 C
+ 125 C
1.4 W
90 ns
10 ns
15 ns
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: onsemi
Cấu hình: Inverting, Non-Inverting
Thời gian trễ khi tắt tối đa: 90 ns
Thời gian trễ khi bật tối đa: 90 ns
Số mạch điều khiển: 1 Driver
Số lượng đầu ra: 1 Output
Dòng cấp nguồn vận hành: 4.8 mA
Dòng đầu ra: 4 A
Sản phẩm: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Loại sản phẩm: Galvanically Isolated Gate Drivers
Số lượng Kiện Gốc: 1000
Danh mục phụ: PMIC - Power Management ICs
Điện áp cấp nguồn - Tối đa: 5 V
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu: 3.3 V
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

Galvanically Isolated High Current Gate Drivers

onsemi Galvanically Isolated High Current Gate Drivers offer high transient and electromagnetic immunity. The NCx5700x is a high-current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high-power applications. The drivers feature complementary inputs, open-drain FAULT, Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, soft turn-off at DESAT, and separate high and low (OUTH and OUTL) driver outputs for system design convenience. The NCx5700x accommodates 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. These onsemi devices provide >5kVRMS (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200VIORM (working voltage) capabilities. The NCx5700x series is available in the wide-body SOIC-16 package with a guaranteed 8mm creepage distance between input and output to fulfill reinforced safety insulation requirements.

NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Drivers

onsemi NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Drivers with internal galvanic isolation are designed for high system efficiency and reliability in high-power applications. The NCV57001's features include complementary inputs, open drain FAULT, Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, and soft turn-off at DESAT. The device allows both 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. The device provides >5kVrms (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200Viorm (working voltage) capabilities. The NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Driver is packaged to fulfill reinforced safety insulation requirements. The device is offered in a wide-body SOIC-16 package with a guaranteed 8mm creepage distance between input and output.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.