HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Kết quả: 720
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Tiêu chuẩn
Thương hiệu
Đóng gói

IXYS MOSFETs 16 Amps 800V 0.6 Rds
Bảng dữ liệu
73Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 71 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 200V 180A N-CH X3CLASS
Bảng dữ liệu
95Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 180 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 154 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 18A
Bảng dữ liệu
16Có hàng
870Dự kiến 17/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Bảng dữ liệu
116Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 20 Amps 800V 0.52 Rds
Bảng dữ liệu
186Có hàng
90Dự kiến 08/06/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 86 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Bảng dữ liệu
185Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs DIODE Id24 BVdass800
Bảng dữ liệu
20Có hàng
1,110Dự kiến 13/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 24 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 105 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
Bảng dữ liệu
311Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 50 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 30A
Bảng dữ liệu
167Có hàng
2,550Dự kiến 28/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 36A
Bảng dữ liệu
274Có hàng
300Dự kiến 23/09/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 36 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 36A
Bảng dữ liệu
186Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
Bảng dữ liệu
12Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A
Bảng dữ liệu
51Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 50 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 300V 56A N-CH X3CLASS
Bảng dữ liệu
39Có hàng
90Dự kiến 16/02/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
Bảng dữ liệu
158Có hàng
3,810Dự kiến 13/05/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 96 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
Bảng dữ liệu
188Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 92 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Bảng dữ liệu
1Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 94 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 180A 250V
Bảng dữ liệu
52Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 180 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.39 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A
Bảng dữ liệu
53Có hàng
200Dự kiến 02/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 64 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
Bảng dữ liệu
5Có hàng
300Dự kiến 13/10/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 78 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 147 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs HiPERFET Id10 BVdass600
Bảng dữ liệu
224Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 740 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Bảng dữ liệu
300Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 110 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs HiPERFET Id12 BVdass500
Bảng dữ liệu
2Có hàng
100Dự kiến 18/03/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 500 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/12A TO-220
Bảng dữ liệu
172Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 850V/14A UlJun XCl
Bảng dữ liệu
19Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube