Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

IGLD65R110D2AUMA1

Name: Infineon IGLD65R110D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGLD65R110D2AUMA
Price: 4.46 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-IGLD65R110D2AUMA

Số nhà sản xuất:

IGLD65R110D2AUMA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

IGLD65R110D2AUMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies IGLD65R110D2AUMA1

Có hàng: 2,696

Tồn kho:: 2,696 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 18 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$4.46	$4.46
	$2.98	$29.80
	$2.29	$229.00
	$2.03	$1,015.00
	$1.93	$1,930.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$1.64	$4,920.00
	$1.63	$9,780.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	FET GaN
RoHS:
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	PG-LSON-8
Cực tính transistor:	HEMT
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	650 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	20 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	140 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 10 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	1.2 V
Qg - Điện tích cực cổng:	2.4 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	51 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	CoolGaN
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	20 ns
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Sản phẩm:	GaN Transistors
Loại sản phẩm:	GaN FETs
Thời gian tăng:	7 ns
Sê-ri:	650 V G5
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	GaN
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	10 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	8 ns
Mã Bí danh:	IGLD65R110D2 SP005918714

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IGLD65R110D2AUMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.