Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

IMT65R010M2HXUMA1

Name: Infineon IMT65R010M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT65R010M2HXUMA
Price: 19.91 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-IMT65R010M2HXUMA

Số nhà sản xuất:

IMT65R010M2HXUMA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

IMT65R010M2HXUMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies IMT65R010M2HXUMA1

Có hàng: 1,914

Tồn kho:: 1,914 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$19.91	$19.91
	$16.98	$169.80
	$15.39	$1,539.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2000)
	$14.05	$28,100.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
RoHS:
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	HSOF-8
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	650 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	168 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	13.1 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 7V, + 23 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4.5 V
Qg - Điện tích cực cổng:	113 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	681 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	CoolSiC
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	9.4 ns
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Sản phẩm:	SiC MOSFETS
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	24 ns
Sê-ri:	650V G2
Số lượng Kiện Gốc:	2000
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Loại transistor:	1 N-Channel
Loại:	SiC MOSFET
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	30 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	16 ns
Mã Bí danh:	IMT65R010M2H SP006051121

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IMT65R010M2HXUMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 650V G2 MOSFET

CoolSiC™ MOSFET 650V G2 của Infineon Technologies tận dụng hiệu suất của silicon cacbua qua việc làm giảm thất thoát năng lượng, điều này mang lại hiệu suất cao hơn trong quá trình chuyển đổi nguồn.CoolSiC MOSFET 650V G2 của Infineon mang lại lợi ích cho các ứng dụng bán dẫn điện khác nhau như quang điện, lưu trữ năng lượng, sạc DC EV, điều khiển động cơ và nguồn điện công nghiệp. Một trạm sạc nhanh DC cho các phương tiện điện được trang bị CoolSiC G2 cho phép giảm thất thoát công suất tới 10% so với các thiết bị của thế hệ trước, trong khi vẫn cho phép hiệu suất sạc cao hơn mà không ảnh hưởng đến biên dạng.