IMZA120R020M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA120R020M1HXK
IMZA120R020M1HXKSA1

Nsx:

Mô tả:
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đang đặt hàng:
1,438
Dự kiến 02/03/2026
960
Dự kiến 01/04/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:
26
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$19.96 $19.96
$17.02 $170.20
$14.72 $1,472.00
$14.71 $7,060.80

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: MOSFET SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
98 A
19 mOhms
- 10 V, + 23 V
4.2 V
83 nC
- 55 C
+ 150 C
375 W
Enhancement
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Đóng gói: Tube
Sản phẩm: MOSFETs
Loại sản phẩm: SiC MOSFETS
Số lượng Kiện Gốc: 240
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: SiC
Mã Bí danh: IMZA120R020M1H SP005448293
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.