XPJR6604PB,LXHQ

Toshiba
757-XPJR6604PBLXHQ
XPJR6604PB,LXHQ

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 3,360

Tồn kho:
3,360 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
14 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1500)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$2.47 $2.47
$1.52 $15.20
$1.38 $138.00
$1.37 $685.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1500)
$1.17 $1,755.00
$1.16 $10,440.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Toshiba
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
530 uOhms
- 20 V, 20 V
3 V
128 nC
+ 175 C
375 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Toshiba
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 54 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 42 ns
Số lượng Kiện Gốc: 1500
Danh mục phụ: Transistors
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 152 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 73 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

L-TOGL & S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N-Ch MOSFETs

Toshiba L-TOGL and S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N-Channel MOSFETs deliver ultra-low on-resistance, a high drain current rating, and high heat dissipation. This is achieved by combining high heat dissipation packages [L-TOGL (large transistor outline gull-wing leads) and S-TOGL (small transistor outline gull-wing leads)] with the U-MOS IX-H and U-MOS X-H chip processes. Toshiba L-TOGL and S-TOGL MOSFETs also offer high current capability and high heat dissipation to help improve power density in a wide variety of automotive applications. The L-TOGL package is equivalent in size to the existing TO-220SM(W) package. However, XPQR3004PB greatly improves the current rating and significantly lowers the on-resistance to 0.23mΩ typical. L-TOGLs optimized package footprint also helps improve thermal characteristics when compared to the same-sized TO-220SM(W) package.

U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.