MMBT3906T RSG

Taiwan Semiconductor
821-MMBT3906TRSG
MMBT3906T RSG

Nsx:

Mô tả:
Bipolar Transistors - BJT -40, -0.2, NPN Bipolar Transistor

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 5,930

Tồn kho:
5,930 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
18 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$0.21 $0.21
$0.126 $1.26
$0.079 $7.90
$0.058 $29.00
$0.051 $51.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$0.041 $123.00
$0.037 $222.00
$0.03 $270.00
$0.029 $696.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Taiwan Semiconductor
Danh mục Sản phẩm: Bóng bán dẫn lưỡng cực - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-523-3
PNP
Single
200 mA
40 V
40 V
5 V
400 mV
150 mW
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Taiwan Semiconductor
Dòng cực góp liên tục: 200 mA
Độ lợi cực góp/cực gốc DC hfe Tối thiểu: 30
Độ lợi dòng DC hFE Tối đa: 300
Loại sản phẩm: BJTs - Bipolar Transistors
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

MMBT3906T PNP Bipolar Transistor

Taiwan Semiconductor MMBT3906T PNP Bipolar Transistor is an epitaxial planar type transistor with improved electrical conductivity. This transistor is designed with -40V of collector-to-base voltage (VCBO), -40V of collector-to-emitter voltage (VCEO), and -5V of emitter-to-base voltage (VEBO). The MMBT3906T PNP transistor features a collector current of -200mA and power dissipation (PD) of 150mW. This transistor is halogen-free according to IEC 61249-2-21 standards and RoHS compliant. Some of the applications include consumer electronics, low-frequency amplifiers, and drivers.