MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

Kết quả: 4
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kích thước bộ nhớ
Loại giao diện
Tần số đồng hồ tối đa
Tổ chức
Đóng gói / Vỏ bọc
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu
Điện áp cấp nguồn - Tối đa
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Tiêu chuẩn
Đóng gói

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) T&R (125C)
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 22 Tuần
Tối thiểu: 500
Nhiều: 500
Rulo cuốn: 500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7 1.95V - DFN8 T&R (125?)
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 20 Tuần
Tối thiểu: 1,500
Nhiều: 1,500
Rulo cuốn: 1,500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Reel

RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - DFN8 T&R (AECQ100 125C)
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 22 Tuần
Tối thiểu: 1,500
Nhiều: 1,500
Rulo cuốn: 1,500

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 DFN-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C AEC-Q100 Reel
RAMXEED F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) tube (125C)
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 22 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Tube