EasyPACK™ TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules

Infineon Technologies EasyPACK™ TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules are based on micro-pattern trenches technology. This provides reduced losses and offers a high level of controllability. The chip is specially optimized for industrial drive applications. The modules offer lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operation temperature up to 175°C in the power module.

Kết quả: 6
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Sản phẩm Cấu hình Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa Điện áp bão hòa cực góp-cực phát Dòng cực góp liên tục ở 25°C Dòng rò cực cổng-cực phát Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa Đóng gói
Infineon Technologies IGBT Modules 950 V 400 A EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode 23Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules 1.23 V 200 A - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 25 A sixpack IGBT module 2Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 35 A sixpack IGBT module 26Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 50 A sixpack IGBT module 15Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies F3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 950 V, 400 A 3-level IGBT module 1Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.4 V 220 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 950 V, 200 A 3-level IGBT module 9Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.27 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray