Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

IRFB4620PBFXKMA1

Name: Infineon IRFB4620PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRFB4620PBFXKMA1
Price: 0.93 USD
Availability: OutOfStock

Mã của Mouser

726-IRFB4620PBFXKMA1

Số nhà sản xuất:

IRFB4620PBFXKMA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

MOSFETs IR FET >60-400V

Bảng dữ liệu:

IRFB4620PBFXKMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies IRFB4620PBFXKMA1

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 19 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1000 Nhiều: 1000

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$0.932	$932.00
	$0.886	$1,772.00
	$0.856	$4,280.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-220AB-3
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	200 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	25 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	72.5 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	5 V
Qg - Điện tích cực cổng:	25 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	144 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	14.8 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	37
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	22.4 ns
Số lượng Kiện Gốc:	1000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	25.4 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	13.4 ns
Mã Bí danh:	IRFB4620PBFXKMA1 SP005745529

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IRFB4620PBFXKMA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.