Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

SICW021N120P-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW021N120P-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW021N120P-BP
Price: 21.58 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

833-SICW021N120P-BP

Số nhà sản xuất:

SICW021N120P-BP

Nsx:

Micro Commercial Components (MCC)

Mô tả:

SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

SICW021N120P-BP Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Micro Commercial Components (MCC) SICW021N120P-BP

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 24 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1800 Nhiều: 1800

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$21.58	$38,844.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Micro Commercial Components (MCC)
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247AB-3
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	1.2 kV
Id - Dòng cực máng liên tục:	100 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	33.6 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	3 V
Qg - Điện tích cực cổng:	200 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	469 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Nhãn hiệu:	Micro Commercial Components (MCC)
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	14 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	24.4 S
Đóng gói:	Bulk
Sản phẩm:	SiC MOSFETS
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	49 ns
Số lượng Kiện Gốc:	1800
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Loại:	SiC MOSFET
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	62 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	30 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

SICW021N120P-BP Bảng dữ liệu (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET kênh N SiC 1.200 V SICW0x

MOSFET kênh N SiC 1.200 V SICW0x của Micro Commercial Components (MCC) tăng cường hiệu suất trong các gói TO-247-4, TO-247-4L và TO-247AB linh hoạt. Các MOSFET này có tốc độ chuyển mạch cao với điện tích cổng thấp, độ linh hoạt trong thiết kế và độ tin cậy. MOSFET SiC 1.200 V SICW0x có khoảng điện trở trên rộng điển hình 21 mΩ đến 120 mΩ và hiệu suất đáng tin cậy. Các MOSFET SiC này có đặc tính nhiệt vượt trội và đi-ốt bên trong nhanh chóng để đảm bảo hoạt động trơn tru, hiệu quả trong các điều kiện khó khăn. MOSFETSICW0x SiC MOSFET có cấu hình 3 chân và 4 chân (nguồn Kelvin). Các ứng dụng điển hình bao gồm điều khiển động cơ, thiết bị hàn, nguồn điện, hệ thống năng lượng tái tạo, hạ tầng sạc, hệ thống đám mây và nguồn điện liên tục (UPS).