DDB6U50N16W1RPB11BPSA1

Infineon Technologies
726-DB6U50N16W1RPB11
DDB6U50N16W1RPB11BPSA1

Nsx:

Mô tả:
Diode Modules 1600 V, 50 A EasyBRIDGE Diode Module

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 22

Tồn kho:
22 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
8 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Số lượng lớn hơn 22 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$33.98 $33.98
$24.35 $243.50
$24.33 $2,919.60

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Infineon
Danh mục Sản phẩm: Mô-đun đi-ốt
RoHS:  
Screw Mount
1.6 kV
1.61 V
- 40 C
+ 150 C
Tray
Nhãn hiệu: Infineon Technologies
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: HU
Sản phẩm: Schottky Diode Modules - SBD
Loại sản phẩm: Diode Modules
Số lượng Kiện Gốc: 30
Danh mục phụ: Discrete and Power Modules
Công nghệ: SiC
Mã Bí danh: DDB6U50N16W1RP_B11 SP005613027
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

1200V CoolSiC™ Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.