Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

IXFN170N25X3

Name: IXYS IXFN170N25X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN170N25X3
Price: 29.8 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

747-IXFN170N25X3

Số nhà sản xuất:

IXFN170N25X3

Nsx:

IXYS

Mô tả:

MOSFET Modules 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

Bảng dữ liệu:

IXFN170N25X3 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về IXYS IXFN170N25X3

Có hàng: 299

Tồn kho:: 299 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 27 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Số lượng lớn hơn 299 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$29.80	$29.80
	$24.25	$242.50
	$22.89	$2,289.00
1,000	Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	IXYS
Danh mục Sản phẩm:	Mô-đun MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	Screw Mount
Đóng gói / Vỏ bọc:	SOT-227-4
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	250 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	146 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	7.4 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4.5 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	390 W
Sê-ri:	X3-Class
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	IXYS
Cấu hình:	Single
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	KR
Thời gian giảm:	7 ns
Loại sản phẩm:	MOSFET Modules
Thời gian tăng:	10 ns
Số lượng Kiện Gốc:	10
Danh mục phụ:	Discrete and Power Modules
Thương hiệu:	HiPerFET
Loại:	HiperFET
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	62 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	18 ns
Vr - Điện áp ngược:	100 V
Đơn vị Khối lượng:	30 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

IXFN170N25X3 Bảng dữ liệu

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

X3-Class Power MOSFETs with HiPerFET™

IXYS X3-Class Power MOSFETs with HiPerFET™ are avalanche-rated fast intrinsic diodes with N-channel enhancement mode. These MOSFETs feature low R_DS(ON), low gate charge (Q_G), and high-power density. IXYS X3-Class 200V-300V Power MOSFETs with HiPerFET remove leftover energies during high-speed switching to avoid device failure. Typical applications include DC-to-DC converters, power supplies, robotics, servo controls, and battery chargers for light electric vehicles.

Solar Inverters & Battery Energy Storage Systems

Littelfuse Solar Inverters and Battery Energy Storage Systems (BESS) can operate in both AC and DC coupled solar systems. The AC coupled solar system features two inverters, offering higher flexibility and easier installation. DC coupled solar systems have a single inverter and provide higher efficiency because the shorter cables between BESS and PV reduce losses. Littelfuse Solar Inverters and BESS components include TVS diodes, MOSFETs, IGBT drivers, fuses, relays, and more.

Giải pháp sạc xe điện

Giải pháp sạc xe điện (EV) của Littelfuse cho phép các nhà thiết kế lựa chọn các giải pháp lý tưởng để đảm bảo bộ phận sạc EV hoạt động đúng và an toàn. Trạm sạc EV bên ngoài hoạt động trong các môi trường khắc nghiệt như nắng nóng, lạnh, mưa, tuyết và sét đánh. Sản phẩm của Littelfuse bảo vệ thiết bị khỏi các nguy cơ, giảm thiểu tối đa lỗi.

X-Class 850V - 1000V Power MOSFETs with HiPerFET™

IXYS X-Class 850V-1000V Power MOSFETs with HiPerFET™ with fast body diodes are rugged devices that display the lowest on-state resistances in the industry. This enables a very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, these devices exhibit low gate charges and superior dv/dt performance. In addition, thanks to the fast soft-recovery body diode, these ultra-junction MOSFETs help reduce switching losses and Electromagnetic Interference (EMI).

Heat Pumps

Littelfuse provides a broad portfolio of components for heat pumps, including fuses, TVS diodes, gate drivers, and more. The heat pump market is growing quickly, driven by government initiatives to reduce greenhouse gas emissions and rising energy costs. With inverter-driven motors improving system efficiencies, heat pumps can now be used in a wide range of climates. Learn how Littelfuse technologies make heat pumps safer, more reliable, and more energy efficient. Heat pumps can be used in a wide range of climates due to the inverter-driven motors improving system efficiencies. These components are suitable for various applications such as energy management, security systems, HVAC systems, smoke detectors, and IoT-controlled appliances. Littelfuse offers protect, control, and sense technologies to improve buildings' reliability, safety, and energy efficiency.

Ultra Junction MOSFETs

IXYS Ultra Junction MOSFETs feature low R_DS(on) and low Q_g in low inductance industry standard packages. These devices enable high power density, easy mounting, and space-saving opportunities. IXYS Ultra Junction MOSFETs are ideal solutions in SMPS, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, and robotics/servo controls.