Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

STGE200NB60S

Name: STMicroelectronics STGE200NB60S
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGE200NB60S
Price: 26.67 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-STGE200NB60S

Số nhà sản xuất:

STGE200NB60S

Nsx:

STMicroelectronics

Bảng dữ liệu:

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tồn kho:: 1

Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 100

Dự kiến 24/08/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 14

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	Mô-đun IGBT
RoHS:
Sản phẩm:	IGBT Modules
Cấu hình:	Single Dual Emitter
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	600 V
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	1.2 V
Dòng cực góp liên tục ở 25°C:	200 A
Dòng rò cực cổng-cực phát:	100 nA
Pd - Tiêu tán nguồn:	600 W
Đóng gói / Vỏ bọc:	ISOTOP-4
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
Điện áp cực cổng cực phát tối đa:	20 V
Kiểu gắn:	Through Hole
Loại sản phẩm:	IGBT Modules
Sê-ri:	STGE200NB60S
Số lượng Kiện Gốc:	100
Danh mục phụ:	IGBTs
Công nghệ:	Si
Thương hiệu:	PowerMESH
Đơn vị Khối lượng:	28 g