STMicroelectronics IGBT

Kết quả: 205
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Đóng gói / Vỏ bọc
Kiểu gắn
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Điện áp cực cổng cực phát tối đa
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Pd - Tiêu tán nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Tiêu chuẩn
Đóng gói
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
Bảng dữ liệu
597Dự kiến 08/06/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 326 W - 55 C + 175 C M Tube


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Bảng dữ liệu
290Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-3PF Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40H65FB
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
Bảng dữ liệu
42Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 145 A 441 W - 55 C + 150 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Bảng dữ liệu
493Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
Bảng dữ liệu
209Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGWT60H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 1200 Volt 3 Amp
Bảng dữ liệu
1,316Dự kiến 03/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 1.2 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 6 A 25 W - 55 C + 150 C STGF3NC120HD Tube
STMicroelectronics IGBTs N-chnl 600V-20A Med Freq
Bảng dữ liệu
1,000Dự kiến 13/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 130 W - 55 C + 150 C STGP19NC60SD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
Bảng dữ liệu
1,913Dự kiến 05/10/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGP4M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Bảng dữ liệu
1,098Dự kiến 27/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGW30H60DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
Bảng dữ liệu
600Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H65FB Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Bảng dữ liệu
1Có hàng
600Dự kiến 01/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA60H65DFB Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
Bảng dữ liệu
396Dự kiến 03/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 488 W - 55 C + 175 C STGWA75M65DF2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 15 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000
Rulo cuốn: 1,000

Si STGB10M65DF2 Reel

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 14 Tuần
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT 475 V 1.25 V - 12 V, 16 V 25 A 150 W - 55 C + 175 C STGB20N45LZAG AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 15 Tuần
Tối thiểu: 2,000
Nhiều: 1,000
Rulo cuốn: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGB4M65DF2 Reel

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 2,500
Nhiều: 2,500
Rulo cuốn: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 390 V 1.35 V - 12 V, 16 V 125 W - 55 C + 175 C STGD19N40LZ AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 15 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGP6M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 15 Tuần
Tối thiểu: 2,000
Nhiều: 1,000

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 14 A 88 W - 55 C + 175 C STGP7H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 1250V 20A trench gate field-stop IGBT
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 14 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.55 V - 20 V, 20 V 40 A 259 W - 55 C + 175 C STGW20IH125DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 14 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGW60H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 14 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 72 A 230 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWA40H65FB Tube