Toshiba DTMOSIV MOSFET

Kết quả: 112
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Thương hiệu
Đóng gói
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Bảng dữ liệu
5Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 115 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
Bảng dữ liệu
50Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
Bảng dữ liệu
9Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 115 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
Bảng dữ liệu
85Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC
Bảng dữ liệu
13Có hàng
50Dự kiến 16/03/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC
Bảng dữ liệu
25Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
Bảng dữ liệu
40Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs TO247(OS) PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Bảng dữ liệu
30Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49.2 A 57 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 185 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC
Bảng dữ liệu
25Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF
Bảng dữ liệu
104Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 36 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 205 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
Bảng dữ liệu
10Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC
Bảng dữ liệu
169Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 12 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
Bảng dữ liệu
197Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 12 nC - 55 C + 150 C 60 W DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Bảng dữ liệu
86Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 540 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 7A 30W FET 600V 490pF 15nC
Bảng dữ liệu
44Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Bảng dữ liệu
114Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6.8 A 640 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 7A 60W FET 600V 490pF 15nC
Bảng dữ liệu
719Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Bảng dữ liệu
446Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6.8 A 660 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 60W 490pF 15nC 7A
Bảng dữ liệu
144Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Bảng dữ liệu
89Dự kiến 15/06/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
Bảng dữ liệu
30Dự kiến 20/02/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 32 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 20 Tuần
Tối thiểu: 2,500
Nhiều: 2,500
Rulo cuốn: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 88.3 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 20 Tuần
Tối thiểu: 2,000
Nhiều: 2,000
Rulo cuốn: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.1 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 32 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube