STMicroelectronics MOSFET SiC

Kết quả: 69
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Tiêu chuẩn
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 18 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 29 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 82.5 nC - 55 C + 175 C 388 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 17 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 76 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 17 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 90 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 120 nC - 55 C + 200 C 486 W
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 1,000

STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 17 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 19 Tuần
Tối thiểu: 1,800
Nhiều: 1,800
Rulo cuốn: 1,800

STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000
Rulo cuốn: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 17 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 41 nC - 55 C + 200 C 236 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 17 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 19 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Through Hole STPAK-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 239 A 10.5 nC - 10 V, + 22 V 4.4 V 304 nC - 55 C + 200 C 994 W
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 19 Tuần
Tối thiểu: 448
Nhiều: 448

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 239 A 10.5 mOhms -10 V, 22 V 4.4 V 304 nC - 55 C + 200 C 994 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 32 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.45 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement
STMicroelectronics SCT012HU90G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600
Rulo cuốn: 600

STMicroelectronics SCT019H120G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in an
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000
Rulo cuốn: 1,000

STMicroelectronics SCT040H65G3-7
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000
Rulo cuốn: 1,000

STMicroelectronics SCT040W65G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 17 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

STMicroelectronics SCT055H65G3-7
STMicroelectronics SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000
Rulo cuốn: 1,000

STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000
Rulo cuốn: 1,000