GS88018CGT Sê-ri SRAM

Kết quả: 16
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kích thước bộ nhớ
Tổ chức
Thời gian truy cập
Tần số đồng hồ tối đa
Loại giao diện
Điện áp cấp nguồn - Tối đa
Điện áp cấp nguồn - Tối thiểu
Dòng cấp nguồn - Tối đa
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Đóng gói
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Bảng dữ liệu
93Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 120 mA, 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 150 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 66
Nhiều: 66

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 135 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 66
Nhiều: 66

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 105 mA, 115 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 155 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 66
Nhiều: 66

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 66
Nhiều: 66

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 115 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 145 mA, 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 72
Nhiều: 72

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 165 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 66
Nhiều: 66

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 145 mA, 185 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 66
Nhiều: 66

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 165 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

9 Mbit 512 k x 18 5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 205 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

9 Mbit 512 k x 18 5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 225 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 36
Nhiều: 36

9 Mbit 512 k x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 165 mA, 220 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 36
Nhiều: 36

9 Mbit 512 k x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 185 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray