AFGB30T65RQDN

onsemi
863-AFGB30T65RQDN
AFGB30T65RQDN

Nsx:

Mô tả:
IGBTs IGBT - 650V 30A -Short circuit rated FS4 - Automotive

Tuổi thọ:
Sản phẩm Mới:
Mới từ nhà sản xuất này.
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 560

Tồn kho:
560 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
17 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$4.29 $4.29
$2.82 $28.20
$2.11 $211.00
$1.88 $940.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 800)
$1.66 $1,328.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: IGBT
RoHS:  
Si
D2PAK-3
SMD/SMT
Single
650 V
1.58 V
20 V, 30 V
68 A
235.48 W
- 55 C
+ 175 C
AFGB30T65RQDN
Reel
Cut Tape
Nhãn hiệu: onsemi
Loại sản phẩm: IGBTs
Số lượng Kiện Gốc: 800
Danh mục phụ: Transistors
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

USHTS:
8541290095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

AFGB30T65RQDN IGBT

onsemi AFGB30T65RQDN Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) offers the optimum performance for automotive applications. This IGBT features high current capability, fast switching, high input impedance, and tightened parameter distribution. The AFGB30T65RQDN IGBT is short circuit rated and offers a high figure of merit with low conduction and switching losses. This IGBT is AEC-Q101 qualified, Pb-free, and RoHS compliant. Typical applications include the E-compressor for HEV/EV and the PTC Heater for HEV/EV.