Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

FDMS86200DC

Name: onsemi FDMS86200DC
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86200DC
Price: 5.22 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

512-FDMS86200DC

Số nhà sản xuất:

FDMS86200DC

Nsx:

onsemi

Mô tả:

MOSFETs 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET

Bảng dữ liệu:

FDMS86200DC Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi FDMS86200DC

Có hàng: 3,823

Tồn kho:: 3,823 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 17 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Đóng gói:

Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

ĐOẠN NGẮN

MouseReel™ (+$7.00)

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	$5.22	$5.22
	$3.40	$34.00
	$2.56	$256.00
	$2.50	$1,250.00
	$2.39	$2,390.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$2.05	$6,150.00

† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	DualCool-56-8
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	150 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	28 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	14 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	3.3 V
Qg - Điện tích cực cổng:	30 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	125 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	PowerTrench
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Đóng gói:	MouseReel
Nhãn hiệu:	onsemi
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	5 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	32 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	4 ns
Sê-ri:	FDMS86200DC
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	23 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	16 ns
Đơn vị Khối lượng:	90 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

FDMS86200DC Bảng dữ liệu

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Dual Cool™ MOSFETs

onsemi Dual Cool™ PowerTrench® MOSFETs provide Dual Cool packaging technology that features bottom- and top-side cooling in a PQFN package. The PQFN footprint is an industry standard and provides performance flexibility for the designer. The Dual Cool MOSFETs feature enhanced dual path thermal performance and improved parasitics over wire-bonded predecessors. The use of a heat sink with Dual Cool packaging technology provides even more impressive results. When a heat sink is used with onsemi Dual Cool package technology, synchronous buck converters deliver higher output current and increased power density.

Solutions for Energy Infrastructure

onsemi Solutions for Energy Infrastructure address the landscape for energy generation, distribution, and storage that is rapidly evolving to fulfill targets set by government policy and increasing consumption. Heightened efficiency targets, reductions of CO2 emissions, and a focus on renewable and clean energy are key factors in this Energy Infrastructure Evolution. onsemi offers a comprehensive portfolio of energy efficient solutions to serve the demanding needs of high-power applications including Silicon Carbide (SiC) Diodes, Intelligent Power Modules, and Current Sense Amplifiers.