Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NXH030P120M3F1PTG

Name: onsemi NXH030P120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH030P12M3F1PTG
Price: 76.64 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NXH030P12M3F1PTG

Số nhà sản xuất:

NXH030P120M3F1PTG

Nsx:

onsemi

Mô tả:

MOSFET Modules 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

NXH030P120M3F1PTG Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 25

Tồn kho:: 25 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 19 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$76.64	$76.64
	$63.75	$637.50
	$58.06	$6,502.72

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	Mô-đun MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	SiC
Kiểu gắn:	Screw Mount
Đóng gói / Vỏ bọc:	PIM-18
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	2 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	1.2 kV
Id - Dòng cực máng liên tục:	42 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	38.5 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4.4 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	100 W
Sê-ri:	NXH030P120M3F1PTG
Đóng gói:	Tray
Nhãn hiệu:	onsemi
Cấu hình:	Half-Bridge
Thời gian giảm:	9.4 ns
Chiều cao:	12.35 mm
Chiều dài:	63.3 mm
Loại sản phẩm:	MOSFET Modules
Thời gian tăng:	6.6 ns
Số lượng Kiện Gốc:	28
Danh mục phụ:	Discrete and Power Modules
Thương hiệu:	EliteSiC
Loại:	Half Bridge
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	84.8 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	19.6 ns
Chiều rộng:	34.1 mm

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NXH030P120M3F1PTG Bảng dữ liệu

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules

onsemi NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules contain 8mΩ/1200V, 10mΩ/1200V, 15mΩ/1200V, and 30mΩ/1200V M3S SiC MOSFETs based on half-bridge topology and a thermistor in a F1 package. These modules feature pre-applied Thermal Interface Material (TIM) and without pre-applied TIM. The NXH0xxP120M3F1 modules are designed with press-fit pins and are Pb-free, Halide-free, and RoHS-compliant. These power modules are used in solar inverters, industrial power, Electric Vehicle (EV) charging stations, and Uninterruptible Power Supplies (UPS).