Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NTH4L016N065M3S

Name: onsemi NTH4L016N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L016N065M3S
Price: 16.09 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NTH4L016N065M3S

Số nhà sản xuất:

NTH4L016N065M3S

Nsx:

onsemi

Mô tả:

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

NTH4L016N065M3S Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NTH4L016N065M3S

Có hàng: 446

Tồn kho:: 446 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 53 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$16.09	$16.09
	$12.45	$124.50
	$10.77	$1,292.40
25,020	Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
RoHS:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-4
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	650 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	71 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	23.5 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 10 V, 22.6 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4 V
Qg - Điện tích cực cổng:	100 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	300 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	EliteSiC
Nhãn hiệu:	onsemi
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	45 ns
Đóng gói:	Tube
Sản phẩm:	SiC MOSFET
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	20 ns
Sê-ri:	NTH4L016N065M3S
Số lượng Kiện Gốc:	30
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	45 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	6.5 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NTH4L016N065M3S Bảng dữ liệu (PDF)

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The onsemi TOLL package offers improved thermal performance and excellent switching performance thanks to Kelvin Source configuration and lower parasitic source inductance. TOLL offers Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1).